这家科技巨头表示，其UFS4.0存储是业界“性能最高”的UFS4.0内存单元，基于三星的第7代V-NAND。三星的UFS4.0模块封装的最大尺寸为11mmx13mmx1mm，容量高达1TB。它预计将于2022年第三季度开始量产。

UFS4.0承诺顺序读取速度高达4,200MB/s，顺序写入速度高达2,800MB/s——大约是2020年1月发布的UFS3.1规范速度的两倍。

据三星称，UFS规范机构JEDEC的董事会已批准三星的UFS4.0实施，随着移动行业转向5G，三星将向移动行业销售UFS4.0内存。JEDEC尚未发布UFS4.0规范。

“UFS4.0提供每通道高达23.2Gbps的速度，是之前UFS3.1的两倍。如此大的带宽非常适合需要大量数据处理的5G智能手机，也有望在未来的汽车应用中采用，AR，还有VR，”三星在Twitter帖子中说。

新规范还可以延长手机电池寿命。三星UFS4.0内存在测试条件下的效率比UFS3.1高46%，顺序读取速度高达每毫安(mA)6.0MB/s。

三星UFS4.0将包括一个“高级”重放保护内存块(RPMB)，这是一种用于移动设备上的eMMC、UFS和NVMe闪存的协议，旨在防止对数字钱包等应用程序的重放攻击。RPMB通过要求身份验证来访问它以进行读写操作来保护内存分区。据三星称，RPMB的UFS4.0设计在存储秘密方面的效率提高了1.8倍。